NVM测试要求不断发展，泰克4200A集成测试解决方案着重于表征
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消费电子行业越来越担心浮栅NVM（非易失性存储器）不能继续以较低的每比特成本提供更高的存储功能，而较低的每比特成本是驱动NVM市场发展的基本要求。浮栅方法可能会“碰壁”，这意味着替代技术的研究工作变得越来越关键。
科学家正在研究FG NAND技术的NVM替代方案，包括相变存储器（PCM / PRAM），电荷陷阱存储器（CTF / SONOS），电阻存储器（ReRAM），铁电存储器（FeRAM）和磁阻存储器（MRAM）等。理想的存储器应该具有动态存储器和非易失性存储器的特性：成本越来越低，密度越来越高；快速读/写，类似于或快于现有DRAM的速度；具有满足DRAM或SSF应用的高耐久性；保留期长；低功率和低电压要求；与当前逻辑电路和半导体工艺兼容。
几个非易失性存储设备。 NVM测试要求已更改，并且针对测试计划提出了新要求。
传统上，电气表征是使用DC仪器（例如源测试单元SMU仪器）执行的，其中脉冲发生器在表征之前已编辑和/或擦除了内容单元。缺点是，这需要某种类型的开关将DC或脉冲信号交替施加到测试设备。
另一种方法是偶尔使用示波器。闪存状态对脉冲电压电平非常敏感。
在被测设备的DUT上检查脉冲保真度（脉冲宽度，过冲，脉冲电压电平，上升时间，下降时间）。缺点是测量瞬态电流很复杂，这意味着只能在脉冲传输期间获得电压测量值。
后来，传统的集成表征方案得到了很大的改进。定制系统用于同时测量电流和电压。
测量方法通常使用负载或感测电阻，而示波器或模数转换器则用于测量电流。但这也有缺点。
一般而言，创造力不强，测试功能有限，测试控制麻烦，提取信息需要花费大量时间。负载电阻对传输到设备的电压的影响将对许多脉冲测量产生明显的负面影响。
业界目前正在研究许多NVM材料和技术，每种材料和技术在物理内存方面都有其独特的特性。但是，在对这些方法进行总体电特性分析时，许多重要的测试参数和方法是相同的。
这种共性意味着可以使用测试仪器来表征各种存储技术和设备。新仪器应该为科研人员提供更多数据，以便在更短的时间内更好地了解NVM材料和设备的特性。
在使用高速采样技术测量电压和电流的同时施加脉冲可以更好地理解提供内存行为的电气和物理机制。将此瞬态表征功能添加到DC表征中，可以提供与固有材料特性和器件响应有关的基本数据。
泰克4200A集成式解决方案的集中表征。不管正在研究的特定存储技术如何，都需要脉冲传输来测试开关特性。
脉冲传输和同步测量提供了必要的数据，以了解开关机构的动态特性。不同的材料有不同的意见。
例如，编程/擦除，设置/重置和写入/擦除均用于指定位1或0的基本存储。这些写入/擦除过程以脉冲模式完成，提供了典型存储器操作所需的整体速度，并模拟最终产品环境。
左：4225-PMU超快速I-V模块和两个4225-RPM远程放大器/开关模块。右：4225-PMU框图。
通过连接RPM1和RPM2，可以使用4225-PMU和两个4225-RPM。 SSR显示了一个固态转发器，该转发器在高阻抗模式下用于通过Fowler-Nordheim隧道对闪存设备执行编程或擦除操作。
泰克吉时利4225-PMU超快速I-V模块是4200A-SCS使用的单插槽仪器卡。它具有两个电压脉冲源通道，每个通道具有集成的同步实时电流和电压测量功能。
度量分为两类：抽样和平均值。采样类型用于捕获基于时间的电流和电压波形，这对于理解波形至关重要。
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