2020年11月12日，中国上海—内存和存储解决方案的领先供应商美光科技公司（Micron Technology Inc.）今天宣布，它已批量交付了世界上第一块176层3D NAND闪存，刷新了行业纪录。

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闪存产品密度和性能的显着改善。

美光公司新的176层工艺和先进的体系结构共同为这一重大突破做出了贡献，使数据中心，智能边缘平台和移动设备等一系列存储应用受益，并实现了巨大的性能提升。

美光科技与产品执行副总裁Scott DeBoer表示：“美光的176层NAND在闪存行业树立了新的标杆。

与最接近的竞争对手相比，堆叠层数增加了近40％。

结合Micron的CMOS阵列（在CMOS阵列下）架构，该技术可帮助Micron继续保持其在成本方面的行业领先优势”。

这款176层NAND产品采用美光的第五代3D NAND技术和第二代替换门架构。

市场上最先进的NAND技术节点。

与美光的上一代高容量3D NAND产品相比，176层NAND将数据读写延迟减少了35％以上，从而大大提高了应用程序性能。

美光公司的176层NAND采用紧凑型设计，其管芯尺寸比市场上最接近的同类产品小30％。

这是满足小型应用程序需求的理想解决方案。

美光公司176层NAND执行副总裁兼首席商务官Sumit Sadana表示：“在采用美光公司的176层NAND之后，我们的客户将实现突破性的产品创新。

在其产品组合中部署该技术，以在NAND应用的各个领域中实现价值，重点在于把握5G，人工智能，云和智能边缘领域的增长机会”。

美光公司的176层NAND具有全面的设计和行业领先的密度。

广泛，将在多个行业必不可少，包括移动设备存储，自动驾驶系统，车载信息娱乐系统以及客户端（PC）和数据中心中的固态驱动器（SSD）。

美光公司176层NAND的服务质量（QoS）进一步提高，这对于数据中心SSD的设计标准至关重要-它可以更快地响应数据密集型环境和工作负载（例如数据湖）以及人工智能（AI）引擎和大数据分析。

对于5G智能手机，改善的QoS意味着更快地启动和切换多个应用程序，带来流畅，响应迅速的移动体验，并真正实现5G低延迟网络的多任务处理和充分利用。

在开放式NAND闪存接口（ONFI）总线上，美光的第五代3D NAND还实现了业界领先的1600 MT /秒的最大数据传输速率，比以前提高了33％。

更快的ONFI速度意味着更快的系统启动和更好的应用程序性能。

在汽车应用中，该速度将使车载系统在发动机启动后几乎立即做出响应，从而为用户带来更好的体验。

美光正与行业开发商合作，以快速将新产品应用于解决方案。

为了简化固件开发，美光公司的176层NAND提供了单遍写入算法，以使集成更容易并缩短上市时间。

实现卓越密度和成本优势的创新架构随着摩尔定律逐渐接近极限，美光在3D NAND领域的创新对于确保行业满足数据增长需求至关重要。

为了实现这一目标，美光科技率先将堆叠式替换栅极架构，创新的电荷陷阱技术以及CMOS阵列（CuA）技术结合在一起。

美光的3D NAND专家团队使用专有的CuA技术取得了长足的进步，该技术在芯片的逻辑器件上构建了多层堆栈，将更多的内存集成到更紧凑的空间中，并极大地减少了176层NAND的裸片尺寸增加了存储容量单个晶圆。

同时，美光还将NAND单元技术从传统的浮栅过渡到电荷捕获，从而改善了未来NAND的可扩展性和性能。

除电荷捕获技术外，美光还采用了替代门架构，该架构使用高导电性金属字线来替代硅层，从而实现出色的3D NAND性能。

采用这项技术后，美光科技将大大降低成本，并继续引领行业。

通过采用这些先进技术，美光科技提高了其产品的耐用性，这将使各种写密集型应用受益，例如黑色b