最近，在日本东京举行的ITF论坛上，比利时半导体研究机构IMEC与ASML合作开发光刻机，宣布了微尺度3nm及以下工艺的技术细节。

目前，ASML已制定了3nm，2nm，1nm甚至Sub 1nm的清晰路径规划。

据了解，在1nm时代的光刻机的体积将大大增加。

体积增加的主要原因是光学器件的增加，并且洁净室指数也达到了上限。

据报道，台积电和三星的7nm和5nm制造商已经引入了NA = 0.33的EUV曝光设备，而在2nm之后需要更高分辨率的曝光设备，即NA = 0.55。

现在，ASML已经完成了0.55NA曝光设备（NXE：5000系列）的基本设计，预计将在2022年实现商业化。

ASML目前正在销售的两台极限紫外光刻机是TWINSCAN NXE：3400B和TWINSCAN NXE： 3400℃。

预计3600D将于明年年中交付，其生产效率将提高18％。