MLG0402P 

image.png

高频电路用电感器

积层陶瓷

MLG-P系列

MLG0402P型

特点

是High Q型的高频电路用电感器。

系列化成0.2~33nH。

对应0.1n步的电感组合。

在已有产品的基础上实现了大幅的小型化,最适合精密间距电路。

根据最优结构设计,尤其大幅提高了800MHz以上的Q。

是将高频用陶瓷材料和导电体材料加以积层,烧制而成的完全单片式结构。

工作温度范围: –55 to +125°C

用途

智能手机、平板终端、高频模块、 Bluetooth、 W-LAN、 UWB、调谐器、其他移动通信领域的各种高频电路

应用指南:智能手机/平板终端


型号状态品牌用途特点L x W 尺寸T | H(Max.) / mm电感容差额定 电流 / A直流电阻(Max.) / ΩSRF / GHz使用温度 范围 / °CAEC- Q200
MLG0402P0N2BT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.220.2nH±0.1nH0.350.110 Min. 20 Typ.-55~125NO
MLG0402P0N2CT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.220.2nH±0.2nH0.350.110 Min. 20 Typ.-55~125NO
MLG0402P0N3BT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.220.3nH±0.1nH0.350.110 Min. 20 Typ.-55~125NO
MLG0402P0N3CT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.220.3nH±0.2nH0.350.110 Min. 20 Typ.-55~125NO
MLG0402P0N4BT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.220.4nH±0.1nH0.350.210 Min. 20 Typ.-55~125NO
MLG0402P0N4CT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.220.4nH±0.2nH0.350.210 Min. 20 Typ.-55~125NO
MLG0402P0N4ST000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.220.4nH±0.3nH0.350.210 Min. 20 Typ.-55~125NO
MLG0402P0N5BT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.220.5nH±0.1nH0.350.210 Min. 20 Typ.-55~125NO
MLG0402P0N5CT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.220.5nH±0.2nH0.350.210 Min. 20 Typ.-55~125NO
MLG0402P0N5ST000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.220.5nH±0.3nH0.350.210 Min. 20 Typ.-55~125NO
MLG0402P0N6BT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.220.6nH±0.1nH0.350.210 Min. 20 Typ.-55~125NO
MLG0402P0N6CT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.220.6nH±0.2nH0.350.210 Min. 20 Typ.-55~125NO
MLG0402P0N6ST000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.220.6nH±0.3nH0.350.210 Min. 20 Typ.-55~125NO
MLG0402P0N7BT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.220.7nH±0.1nH0.320.310 Min. 20 Typ.-55~125NO
MLG0402P0N7CT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.220.7nH±0.2nH0.320.310 Min. 20 Typ.-55~125NO
MLG0402P0N7ST000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.220.7nH±0.3nH0.320.310 Min. 20 Typ.-55~125NO
MLG0402P0N8BT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.220.8nH±0.1nH0.320.410 Min. 18.3 Typ.-55~125NO
MLG0402P0N8CT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.220.8nH±0.2nH0.320.410 Min. 18.3 Typ.-55~125NO
MLG0402P0N8ST000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.220.8nH±0.3nH0.320.410 Min. 18.3 Typ.-55~125NO
MLG0402P0N9BT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.220.9nH±0.1nH0.320.410 Min. 17.3 Typ.-55~125NO
MLG0402P0N9CT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.220.9nH±0.2nH0.320.410 Min. 17.3 Typ.-55~125NO
MLG0402P0N9ST000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.220.9nH±0.3nH0.320.410 Min. 17.3 Typ.-55~125NO
MLG0402P10NHT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.2210nH±3%0.142.13.6 Min. 4.7 Typ.-55~125NO
MLG0402P10NJT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.2210nH±5%0.142.13.6 Min. 4.7 Typ.-55~125NO
MLG0402P11NHT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.2211nH±3%0.142.23.5 Min. 4.6 Typ.-55~125NO
MLG0402P11NJT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.2211nH±5%0.142.23.5 Min. 4.6 Typ.-55~125NO
MLG0402P12NHT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.2212nH±3%0.142.43.4 Min. 4.5 Typ.-55~125NO
MLG0402P12NJT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.2212nH±5%0.142.43.4 Min. 4.5 Typ.-55~125NO
MLG0402P13NHT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.2213nH±3%0.142.53.2 Min. 4.3 Typ.-55~125NO
MLG0402P13NJT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.2213nH±5%0.142.53.2 Min. 4.3 Typ.-55~125NO
MLG0402P15NHT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.2215nH±3%0.142.63 Min. 3.9 Typ.-55~125NO
MLG0402P15NJT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.2215nH±5%0.142.63 Min. 3.9 Typ.-55~125NO
MLG0402P16NHT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.2216nH±3%0.142.72.4 Min. 3.4 Typ.-55~125NO
MLG0402P16NJT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.2216nH±5%0.142.72.4 Min. 3.4 Typ.-55~125NO
MLG0402P18NHT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.2218nH±3%0.142.82.3 Min. 3.2 Typ.-55~125NO
MLG0402P18NJT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.2218nH±5%0.142.82.3 Min. 3.2 Typ.-55~125NO
MLG0402P1N0BT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.221nH±0.1nH0.250.410 Min. 16.5 Typ.-55~125NO
MLG0402P1N0CT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.221nH±0.2nH0.250.410 Min. 16.5 Typ.-55~125NO
MLG0402P1N0ST000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.221nH±0.3nH0.250.410 Min. 16.5 Typ.-55~125NO
MLG0402P1N1BT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.221.1nH±0.1nH0.250.510 Min. 15 Typ.-55~125NO
MLG0402P1N1CT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.221.1nH±0.2nH0.250.510 Min. 15 Typ.-55~125NO
MLG0402P1N1ST000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.221.1nH±0.3nH0.250.510 Min. 15 Typ.-55~125NO
MLG0402P1N2BT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.221.2nH±0.1nH0.250.510 Min. 14.8 Typ.-55~125NO
MLG0402P1N2CT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.221.2nH±0.2nH0.250.510 Min. 14.8 Typ.-55~125NO
MLG0402P1N2ST000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.221.2nH±0.3nH0.250.510 Min. 14.8 Typ.-55~125NO
MLG0402P1N3BT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.221.3nH±0.1nH0.250.610 Min. 15.9 Typ.-55~125NO
MLG0402P1N3CT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.221.3nH±0.2nH0.250.610 Min. 15.9 Typ.-55~125NO
MLG0402P1N3ST000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.221.3nH±0.3nH0.250.610 Min. 15.9 Typ.-55~125NO
MLG0402P1N4BT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.221.4nH±0.1nH0.250.610 Min. 14 Typ.-55~125NO
MLG0402P1N4CT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.221.4nH±0.2nH0.250.610 Min. 14 Typ.-55~125NO
MLG0402P1N4ST000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.221.4nH±0.3nH0.250.610 Min. 14 Typ.-55~125NO
MLG0402P1N5BT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.221.5nH±0.1nH0.220.610 Min. 14 Typ.-55~125NO
MLG0402P1N5CT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.221.5nH±0.2nH0.220.610 Min. 14 Typ.-55~125NO
MLG0402P1N5ST000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.221.5nH±0.3nH0.220.610 Min. 14 Typ.-55~125NO
MLG0402P1N6BT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.221.6nH±0.1nH0.220.69 Min. 12.9 Typ.-55~125NO
MLG0402P1N6CT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.221.6nH±0.2nH0.220.69 Min. 12.9 Typ.-55~125NO
MLG0402P1N6ST000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.221.6nH±0.3nH0.220.69 Min. 12.9 Typ.-55~125NO
MLG0402P1N7BT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.221.7nH±0.1nH0.20.69 Min. 12.4 Typ.-55~125NO
MLG0402P1N7CT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.221.7nH±0.2nH0.20.69 Min. 12.4 Typ.-55~125NO
MLG0402P1N7ST000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.221.7nH±0.3nH0.20.69 Min. 12.4 Typ.-55~125NO
MLG0402P1N8BT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.221.8nH±0.1nH0.20.68 Min. 11.5 Typ.-55~125NO
MLG0402P1N8CT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.221.8nH±0.2nH0.20.68 Min. 11.5 Typ.-55~125NO
MLG0402P1N8ST000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.221.8nH±0.3nH0.20.68 Min. 11.5 Typ.-55~125NO
MLG0402P1N9BT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.221.9nH±0.1nH0.20.68 Min. 10.5 Typ.-55~125NO
MLG0402P1N9CT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.221.9nH±0.2nH0.20.68 Min. 10.5 Typ.-55~125NO
MLG0402P1N9ST000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.221.9nH±0.3nH0.20.68 Min. 10.5 Typ.-55~125NO
MLG0402P20NHT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.2220nH±3%0.1332.2 Min. 2.8 Typ.-55~125NO
MLG0402P20NJT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.2220nH±5%0.1332.2 Min. 2.8 Typ.-55~125NO
MLG0402P22NHT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.2222nH±3%0.133.22 Min. 2.7 Typ.-55~125NO
MLG0402P22NJT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.2222nH±5%0.133.22 Min. 2.7 Typ.-55~125NO
MLG0402P24NHT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.2224nH±3%0.123.22 Min. 2.6 Typ.-55~125NO
MLG0402P24NJT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.2224nH±5%0.123.22 Min. 2.6 Typ.-55~125NO
MLG0402P27NHT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.2227nH±3%0.123.51.8 Min. 2.3 Typ.-55~125NO
MLG0402P27NJT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.2227nH±5%0.123.51.8 Min. 2.3 Typ.-55~125NO
MLG0402P2N0BT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.222nH±0.1nH0.20.68 Min. 11 Typ.-55~125NO
MLG0402P2N0CT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.222nH±0.2nH0.20.68 Min. 11 Typ.-55~125NO
MLG0402P2N0ST000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.222nH±0.3nH0.20.68 Min. 11 Typ.-55~125NO
MLG0402P2N1BT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.222.1nH±0.1nH0.20.78 Min. 11.5 Typ.-55~125NO
MLG0402P2N1CT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.222.1nH±0.2nH0.20.78 Min. 11.5 Typ.-55~125NO
MLG0402P2N1ST000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.222.1nH±0.3nH0.20.78 Min. 11.5 Typ.-55~125NO
MLG0402P2N2BT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.222.2nH±0.1nH0.20.78 Min. 10.7 Typ.-55~125NO
MLG0402P2N2CT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.222.2nH±0.2nH0.20.78 Min. 10.7 Typ.-55~125NO
MLG0402P2N2ST000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.222.2nH±0.3nH0.20.78 Min. 10.7 Typ.-55~125NO
MLG0402P2N3BT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.222.3nH±0.1nH0.20.77 Min. 10.3 Typ.-55~125NO
MLG0402P2N3CT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.222.3nH±0.2nH0.20.77 Min. 10.3 Typ.-55~125NO
MLG0402P2N3ST000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.222.3nH±0.3nH0.20.77 Min. 10.3 Typ.-55~125NO
MLG0402P2N4BT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.222.4nH±0.1nH0.20.77 Min. 10.2 Typ.-55~125NO
MLG0402P2N4CT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.222.4nH±0.2nH0.20.77 Min. 10.2 Typ.-55~125NO
MLG0402P2N4ST000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.222.4nH±0.3nH0.20.77 Min. 10.2 Typ.-55~125NO
MLG0402P2N5BT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.222.5nH±0.1nH0.20.87 Min. 10.3 Typ.-55~125NO
MLG0402P2N5CT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.222.5nH±0.2nH0.20.87 Min. 10.3 Typ.-55~125NO
MLG0402P2N5ST000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.222.5nH±0.3nH0.20.87 Min. 10.3 Typ.-55~125NO
MLG0402P2N6BT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.222.6nH±0.1nH0.20.87 Min. 9.7 Typ.-55~125NO
MLG0402P2N6CT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.222.6nH±0.2nH0.20.87 Min. 9.7 Typ.-55~125NO
MLG0402P2N6ST000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.222.6nH±0.3nH0.20.87 Min. 9.7 Typ.-55~125NO
MLG0402P2N7BT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.222.7nH±0.1nH0.20.87 Min. 9.9 Typ.-55~125NO
MLG0402P2N7CT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.222.7nH±0.2nH0.20.87 Min. 9.9 Typ.-55~125NO
MLG0402P2N7ST000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.222.7nH±0.3nH0.20.87 Min. 9.9 Typ.-55~125NO
MLG0402P2N8BT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.222.8nH±0.1nH0.20.87 Min. 9.2 Typ.-55~125NO
MLG0402P2N8CT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.222.8nH±0.2nH0.20.87 Min. 9.2 Typ.-55~125NO
型号状态品牌用途特点L x W 尺寸T | H(Max.) / mm电感容差额定 电流 / A直流电阻(Max.) / ΩSRF / GHz使用温度 范围 / °CAEC- Q200
MLG0402P2N8ST000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.222.8nH±0.3nH0.20.87 Min. 9.2 Typ.-55~125NO
MLG0402P2N9BT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.222.9nH±0.1nH0.20.87 Min. 9.6 Typ.-55~125NO
MLG0402P2N9CT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.222.9nH±0.2nH0.20.87 Min. 9.6 Typ.-55~125NO
MLG0402P2N9ST000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.222.9nH±0.3nH0.20.87 Min. 9.6 Typ.-55~125NO
MLG0402P30NHT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.2230nH±3%0.123.61.7 Min. 2.2 Typ.-55~125NO
MLG0402P30NJT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.2230nH±5%0.123.61.7 Min. 2.2 Typ.-55~125NO
MLG0402P33NHT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.2233nH±3%0.123.81.4 Min. 1.9 Typ.-55~125NO
MLG0402P33NJT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.2233nH±5%0.123.81.4 Min. 1.9 Typ.-55~125NO
MLG0402P3N0BT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.223nH±0.1nH0.20.97 Min. 9.2 Typ.-55~125NO
MLG0402P3N0CT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.223nH±0.2nH0.20.97 Min. 9.2 Typ.-55~125NO
MLG0402P3N0ST000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.223nH±0.3nH0.20.97 Min. 9.2 Typ.-55~125NO
MLG0402P3N1BT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.223.1nH±0.1nH0.217 Min. 9.2 Typ.-55~125NO
MLG0402P3N1CT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.223.1nH±0.2nH0.217 Min. 9.2 Typ.-55~125NO
MLG0402P3N1ST000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.223.1nH±0.3nH0.217 Min. 9.2 Typ.-55~125NO
MLG0402P3N2BT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.223.2nH±0.1nH0.181.17 Min. 9.1 Typ.-55~125NO
MLG0402P3N2CT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.223.2nH±0.2nH0.181.17 Min. 9.1 Typ.-55~125NO
MLG0402P3N2ST000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.223.2nH±0.3nH0.181.17 Min. 9.1 Typ.-55~125NO
MLG0402P3N3BT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.223.3nH±0.1nH0.181.16.5 Min. 8.6 Typ.-55~125NO
MLG0402P3N3CT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.223.3nH±0.2nH0.181.16.5 Min. 8.6 Typ.-55~125NO
MLG0402P3N3ST000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.223.3nH±0.3nH0.181.16.5 Min. 8.6 Typ.-55~125NO
MLG0402P3N4BT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.223.4nH±0.1nH0.181.16 Min. 8.6 Typ.-55~125NO
MLG0402P3N4CT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.223.4nH±0.2nH0.181.16 Min. 8.6 Typ.-55~125NO
MLG0402P3N4ST000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.223.4nH±0.3nH0.181.16 Min. 8.6 Typ.-55~125NO
MLG0402P3N5BT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.223.5nH±0.1nH0.181.16 Min. 8.3 Typ.-55~125NO
MLG0402P3N5CT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.223.5nH±0.2nH0.181.16 Min. 8.3 Typ.-55~125NO
MLG0402P3N5ST000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.223.5nH±0.3nH0.181.16 Min. 8.3 Typ.-55~125NO
MLG0402P3N6BT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.223.6nH±0.1nH0.181.16 Min. 8.3 Typ.-55~125NO
MLG0402P3N6CT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.223.6nH±0.2nH0.181.16 Min. 8.3 Typ.-55~125NO
MLG0402P3N6ST000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.223.6nH±0.3nH0.181.16 Min. 8.3 Typ.-55~125NO
MLG0402P3N7BT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.223.7nH±0.1nH0.181.16 Min. 8 Typ.-55~125NO
MLG0402P3N7CT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.223.7nH±0.2nH0.181.16 Min. 8 Typ.-55~125NO
MLG0402P3N7ST000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.223.7nH±0.3nH0.181.16 Min. 8 Typ.-55~125NO
MLG0402P3N8BT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.223.8nH±0.1nH0.181.26 Min. 7.8 Typ.-55~125NO
MLG0402P3N8CT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.223.8nH±0.2nH0.181.26 Min. 7.8 Typ.-55~125NO
MLG0402P3N8ST000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.223.8nH±0.3nH0.181.26 Min. 7.8 Typ.-55~125NO
MLG0402P3N9BT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.223.9nH±0.1nH0.181.26 Min. 7.6 Typ.-55~125NO
MLG0402P3N9CT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.223.9nH±0.2nH0.181.26 Min. 7.6 Typ.-55~125NO
MLG0402P3N9ST000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.223.9nH±0.3nH0.181.26 Min. 7.6 Typ.-55~125NO
MLG0402P4N0BT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.224nH±0.1nH0.181.26 Min. 7.5 Typ.-55~125NO
MLG0402P4N0CT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.224nH±0.2nH0.181.26 Min. 7.5 Typ.-55~125NO
MLG0402P4N0ST000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.224nH±0.3nH0.181.26 Min. 7.5 Typ.-55~125NO
MLG0402P4N1BT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.224.1nH±0.1nH0.181.26 Min. 7.9 Typ.-55~125NO
MLG0402P4N1CT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.224.1nH±0.2nH0.181.26 Min. 7.9 Typ.-55~125NO
MLG0402P4N1ST000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.224.1nH±0.3nH0.181.26 Min. 7.9 Typ.-55~125NO
MLG0402P4N2BT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.224.2nH±0.1nH0.181.26 Min. 7.9 Typ.-55~125NO
MLG0402P4N2CT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.224.2nH±0.2nH0.181.26 Min. 7.9 Typ.-55~125NO
MLG0402P4N2ST000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.224.2nH±0.3nH0.181.26 Min. 7.9 Typ.-55~125NO
MLG0402P4N3HT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.224.3nH±3%0.181.26 Min. 8 Typ.-55~125NO
MLG0402P4N3JT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.224.3nH±5%0.181.26 Min. 8 Typ.-55~125NO
MLG0402P4N3ST000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.224.3nH±0.3nH0.181.26 Min. 8 Typ.-55~125NO
MLG0402P4N7HT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.224.7nH±3%0.161.35 Min. 7.2 Typ.-55~125NO
MLG0402P4N7JT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.224.7nH±5%0.161.35 Min. 7.2 Typ.-55~125NO
MLG0402P4N7ST000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.224.7nH±0.3nH0.161.35 Min. 7.2 Typ.-55~125NO
MLG0402P5N1HT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.225.1nH±3%0.161.45 Min. 7 Typ.-55~125NO
MLG0402P5N1JT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.225.1nH±5%0.161.45 Min. 7 Typ.-55~125NO
MLG0402P5N1ST000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.225.1nH±0.3nH0.161.45 Min. 7 Typ.-55~125NO
MLG0402P5N6HT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.225.6nH±3%0.141.55 Min. 6.8 Typ.-55~125NO
MLG0402P5N6JT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.225.6nH±5%0.141.55 Min. 6.8 Typ.-55~125NO
MLG0402P5N6ST000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.225.6nH±0.3nH0.141.55 Min. 6.8 Typ.-55~125NO
MLG0402P6N2HT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.226.2nH±3%0.141.54.5 Min. 6.5 Typ.-55~125NO
MLG0402P6N2JT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.226.2nH±5%0.141.54.5 Min. 6.5 Typ.-55~125NO
MLG0402P6N8HT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.226.8nH±3%0.141.64.3 Min. 5.8 Typ.-55~125NO
MLG0402P6N8JT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.226.8nH±5%0.141.64.3 Min. 5.8 Typ.-55~125NO
MLG0402P7N5HT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.227.5nH±3%0.141.74.2 Min. 5.7 Typ.-55~125NO
MLG0402P7N5JT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.227.5nH±5%0.141.74.2 Min. 5.7 Typ.-55~125NO
MLG0402P8N2HT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.228.2nH±3%0.141.84 Min. 5.5 Typ.-55~125NO
MLG0402P8N2JT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.228.2nH±5%0.141.84 Min. 5.5 Typ.-55~125NO
MLG0402P9N1HT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.229.1nH±3%0.141.84 Min. 5.5 Typ.-55~125NO
MLG0402P9N1JT000量产体制TDK一般等级积层 非磁性核心(电介质陶瓷) High Q0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]0.229.1nH±5%0.141.84 Min. 5.5 Typ.-55~125NO


产品资料
行业信息